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矽粉與HCI反應是在矽的表面進行的
氧和水份对合成反应伤害很大
影响三氯氢硅生产合成的因素主要有：温度、氧和水分的影响、游离氯的控制、硅粉粒度、料层高度和氯化氫流量。以下针对影响因素作简要概述。
硅粉粒度
硅粉与氯化氫氣體反應是在矽的表面進行的，硅粉比表面积越大，越有利于反应，即要求硅粉粒度应该较小。但是粒度过小，流化时容易形成聚式流化床，有较多的气泡，将抑制传质进行，使氯 化氢的一次转化率降低，同时，较小的颗粒迅速反应，很快就达到带出粒径范围，使硅粉的利用率降低。因此，选用粒度适中的硅粉是很重要的。
氧和水份的影响
氧和水份对合成反应伤害很大，因为Si-0化学键比Si-Cl化学键更稳定，进入系统的氧元素都会与硅合成硅胶或硅氧烷类物质，一方面在硅粉表面形成一层致密的氧化膜，影响反应的正常进行，使产物中三氯氢硅含量降低，此外还形成硅胶类物质堵塞管道，使生产系统发生故障。
料层高度和氯化氫流量
有形成“管涌”的可能性，如果料层过低，产生不均匀沸腾，反应的接触时间也缩短，产量会降低。氯化氫的流量决定了颗粒床的流化状态。具体的料层高度和氯化氫流量需通过实际生产实践确定。
氯化氫中遊離氯的控制
游离氯对合成炉的影响主要是两个方面：一是含量过高有爆炸危险，另外是会影响合成的质量。通过氯化氫合成炉反应时氢过量4%左右来控制游离氯，并用含量检测仪连续检测氯化氫的质量来确保游离氯含量低于生产要求
三氯氢硅生产合成中，用到的材料其特殊性，直接关系到三氯氢硅的产品品质，以及合成过程的正常运行。
山东言赫化工有限公司专业经营淄博万达利特种气体公司生产的氯化氫是在淄博齊魯石化工業園區注冊的高新科技企業，淄博萬達利直屬于北京華宇同方，主要從事新材料技術和化工新技術的研發，以及高新技術産品的生産和銷售。研發的沸石催化劑及其應用技術處于世界先進水平.生産的“華宇同方”牌高純氯化氫産品與國際知名品牌的性能相當,爲半導體器件制造業、光伏産業和醫藥工業提供了充足的優質原材料。
